أفادت الأنباء أن معدل نجاح إنتاج DRAM 1c لشركة Samsung Electronics تجاوز 80%، بينما معدل نجاح إنتاج HBM4 يقترب من 60%.

格隆汇 25 فبراير｜وفقًا لتقرير من Odaily، كشف خبراء الصناعة أن Samsung Electronics قد حققت معدل إنتاجية بنسبة 80% لذاكرة DRAM 1c داخليًا، وهو أعلى معدل إنتاجية تم تحقيقه في بيئة درجات حرارة مرتفعة (اختبار حراري). في الربع الرابع من عام 2025، كان معدل الإنتاجية حوالي 60-70%، وقد شهد الآن تحسنًا ملحوظًا، ومن المتوقع أن يصل إلى 90% تقريبًا بحلول مايو. وأضاف خبراء الصناعة أن معدل إنتاجية HBM4 المستندة إلى DRAM 1c من Samsung قد تحسن أيضًا، ليقترب من 60%، بينما كان حوالي 50% في الربع الرابع من العام الماضي.