Se informa que el rendimiento de DRAM 1c de Samsung Electronics supera el 80% y el rendimiento de HBM4 se acerca al 60%.
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Glonghui, 25 de febrero｜Según Jinse Finance, fuentes de la industria revelaron que Samsung Electronics ha logrado una tasa de rendimiento del 80% en DRAM 1c, lo que representa la tasa más alta obtenida en pruebas de calor (pruebas a alta temperatura). En el cuarto trimestre de 2025, la tasa de rendimiento era de aproximadamente 60-70%, pero ahora ha mejorado significativamente y se espera que alcance alrededor del 90% en mayo. Las fuentes agregaron que la tasa de rendimiento de HBM4 basada en DRAM 1c de Samsung también ha mejorado, acercándose al 60%, mientras que en el cuarto trimestre del año pasado era de aproximadamente el 50%.
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Descargo de responsabilidad: El contenido de este artículo refleja únicamente la opinión del autor y no representa en modo alguno a la plataforma. Este artículo no se pretende servir de referencia para tomar decisiones de inversión.
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