Selon des sources, le rendement de la DRAM 1c de Samsung Electronics dépasse 80 %, tandis que le rendement du HBM4 approche 60 %.
Selon des sources, le rendement de la DRAM 1c de Samsung Electronics dépasse 80 %, tandis que le rendement du HBM4 approche 60 %.
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Glonghui, le 25 février｜Selon le Science and Technology Innovation Board Daily, des sources du secteur révèlent que Samsung Electronics a atteint un rendement de 80% pour la DRAM 1c en interne, ce qui constitue le rendement le plus élevé obtenu lors de tests thermiques (en environnement à haute température). Au quatrième trimestre 2025, ce rendement était d'environ 60 à 70%, il a donc considérablement augmenté et devrait atteindre environ 90% d'ici mai. Les mêmes sources ajoutent que le rendement du HBM4 basé sur la DRAM 1c de Samsung s'est également amélioré, atteignant près de 60%, contre environ 50% au quatrième trimestre de l'année dernière.
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